2n5401 транзистор характеристики аналог

Содержание:

CXT5401 Datasheet (PDF)
MMBT5401LT1 Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор CMUT5401 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
CMUT5401 Datasheet (PDF)
CZT5401 Datasheet (PDF)
Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.
Другие разделы справочника:
Related Datasheets
Аналоги и замена зарубежных диодов и полупроводников
CMUT5401 Datasheet (PDF)
1N5401, Диод выпрямительный 100В 3А, DO-201AD
2N5401 Datasheet Download — ON Semiconductor
CMBT5401 Datasheet (PDF)
Распиновка
Скорость переключения диодов 1N4000 и 1N5400
PZT5401 Datasheet (PDF)
Производители

CXT5401 Datasheet (PDF)

1.1. cxt5401e.pdf Size:290K _central

CXT5401E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
PNP SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5401E is a
PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage: 250V
SOT-89 CASE
• Low L

1.2. cxt5401.pdf Size:608K _htsemi

CXT5401
TRANSISTOR (PNP)
SOT-89
FEATURE
Switching and amplification in high voltage
1. BASE
Applications such as telephony
1 1
Low current(max. 500mA)
High voltage(max.160v) 2
2
2. COLLECTOR
3
3. EMITTER
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -160 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V

1.3. cxt5401.pdf Size:1165K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
CXT5401 (KXT5401)
■ Features
1.70 0.1
● Switching and amplification in high voltage
Applications such as telephony
● Low current(max. 500mA)
● High voltage(max.160v)
0.42 0.1
0.46 0.1
● Comlementary to CXT5551
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base V

MMBT5401LT1 Datasheet (PDF)

Характеристики транзистора s8050

1.1. nsvmmbt5401lt3g.pdf Size:125K _onsemi

MMBT5401L, SMMBT5401L,
NSVMMBT5401L
High Voltage Transistor
PNP Silicon
http://onsemi.com
Features
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
SOT-23 (TO-236)
Compliant
CASE 318
STYLE 6
MAXIMUM RATINGS
COLLECTO

1.2. mmbt5401lt1g.pdf Size:125K _onsemi

MMBT5401LT1G,
SMMBT5401LT1G,
MMBT5401LT3G
High Voltage Transistor
PNP Silicon
http://onsemi.com
Features
 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements
SOT-23 (TO-236)
CASE 318
 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
STYLE 6
Compliant*
COLLECTOR
MAXIMUM RAT

1.3. mmbt5401lt1-d.pdf Size:115K _onsemi

MMBT5401LT1G
High Voltage Transistor
PNP Silicon
Features
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http://onsemi.com
Compliant
COLLECTOR
3
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
1
Collector-Emitter Voltage VCEO -150 Vdc
BASE
Collector-Base Voltage VCBO -160 Vdc
2
Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc
EMITTER
Collector Current — Continuous IC -500 mAdc
S

1.4. mmbt5401lt1.pdf Size:325K _willas

FM120-M
WILLAS
MMBT5401LT1
THRU
High Voltage Transistor
FM1200-M
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY
BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V
SOD-123 PACKAGE
Pb Free Product
Package outline
Features
• Batch process design, excellent power dissipation offers
better reverse leakage current and thermal resistance.
SOD-123H
FEATURE
• Low profile surface mounted application in order to

1.5. mmbt5401lt1.pdf Size:910K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SOT-23
MMBT5401LT1 TRANSISTOR (PNP)
1. BASE
2. EMITTER
FEATURES
3. COLLECTOR
—
Power dissipation
2. 4
PCM: 0.3 W (Tamb=25℃)
1. 3
Collector current
ICM: -0.6 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: -160 V
Operating and storage junction temperature range
Unit: mm

Биполярный транзистор CMUT5401 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Транзистор s9018

Наименование производителя: CMUT5401

Маркировка: 54C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: SOT-523

CMUT5401
Datasheet (PDF)

Транзистор tip122: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить

1.1. cmut5401.pdf Size:342K _central

CMUT5401
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
PNP SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5401
type is a PNP silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING CODE: 54C
SOT-523 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS
Collector-Base Voltage V

1.2. cmut5401e.pdf Size:349K _central

CMUT5401E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
PNP SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5401E is a
PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-523 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage and small space
saving packaging.
MARKING CODE: 4C5
FEATURES:
SOT-523 CASE
• High Collector Bre

5.1. cmut5551.pdf Size:342K _central

CMUT5551
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5551 type
is an NPN silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING CODE: 55C
SOT-523 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS
Collector-Base Voltage

5.2. cmut5087e.pdf Size:349K _central

CMUT5087E PNP
CMUT5088E NPN
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
COMPLEMENTARY
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5087E and
SILICON TRANSISTORS
CMUT5088E are Silicon transistors in an ULTRAmini
surface mount package with enhanced specifications
designed for applications requiring high gain and low
noise.
MARKING CODES: CMUT5087E: U87
CMUT5088E:

5.3. cmut5179.pdf Size:342K _central

CMUT5179
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
NPN SILICON
DESCRIPTION:
RF TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5179
type is an NPN silicon RF transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in an
ULTRAmini surface mount package, designed for
low noise, high frequency amplifier and high output
oscillator applications.
MARKING CODE: HC7
SOT-523 CASE

5.4. cmut5088e.pdf Size:349K _central

5.5. cmut5087e cmut5088e series.pdf Size:349K _central

5.6. cmut5551e.pdf Size:349K _central

CMUT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-523 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage and small space
saving packaging.
MARKING CODE: 5C1
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltag

Другие транзисторы… CMUT3410
, CMUT3904
, CMUT3906
, CMUT4401
, CMUT4403
, CMUT5087E
, CMUT5088E
, CMUT5179
, BD140
, CMUT5401E
, CMUT5551
, CMUT5551E
, CMUT7410
, CMXT2207
, CMXT2222A
, CMXT2907A
, CMXT3090L
.

CZT5401 Datasheet (PDF)

1.1. czt5401e.pdf Size:534K _central

CZT5401E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
PNP SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5401E is a
PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage 250V
SOT-223 CASE
SOT-223

1.2. czt5401.pdf Size:614K _secos

CZT5401
PNP Transistor
Elektronische Bauelemente
Epitaxial Planar Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-223
Description
The CZT5401 is designed for general
purpose applications requiring high
breakdown voltages.
REF. REF.
Min. Max. Min. Max.
A 6.70 7.30 B 13 TYP.
C 2.90 3.10 J 2.30 REF.
5 4 0 1
D 0.02 0.10 1 6.30 6.70
Date Code
E 0 10 2 6.30 6.70
I 0.60 0.80 3 3.3

1.3. czt5401.pdf Size:313K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
CZT5401 (KZT5401)
Unit:mm
SOT-223
6.50±0.2
3.00±0.1
■ Features
4
● High Voltage
● High Voltage Amplifier Application
1 2 3
0.250
2.30 (typ)
Gauge Plane
1.Base
2.Collector
0.70±0.1
3.Emitter
4.60 (typ)
4.Collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -160
Coll

Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором 2N5400; транзистором BF491; транзистором ECG288; транзистором КТ502Е; транзистором MPSA92; транзистором MPSA93; транзистором MPSL51;

транзистором MPSL51; транзистором 2SB646; транзистором 2SB646A; транзистором 2SA637; транзистором 2SB647; транзистором 2SB647A; транзистором 2SA638; транзистором 2SA639; транзистором BC526A; транзистором BC404VI;

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Характеристики транзистора 2N5401 говорят о том, что он биполярный, кремниевый, p-n-p структуры , произведенный по эпитаксиально-планарной технологии. Применяется в коммутирующих устройствах, усилителях. Его также используют в аппаратуре, для которой важен низкий уровень шума и повышенное напряжение.

Related Datasheets

Номер в каталоге	Описание	Производители
2N540	Trans GP BJT NPN 80V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve	New Jersey Semiconductor
2N5400	Amplifier Transistor	ON Semiconductor
2N5400	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	Samsung semiconductor
2N5400	PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose/ high voltage amplifier applications	Semtech Corporation

Номер в каталоге	Описание	Производители
6MBP200RA-060	Intelligent Power Module	Fuji Electric
ADF41020	18 GHz Microwave PLL Synthesizer	Analog Devices
AN-SY6280	Low Loss Power Distribution Switch	Silergy

DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск

Аналоги и замена зарубежных диодов и полупроводников

В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для диодов, стабилитронов, тиристоров и других полупроводников зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов.

Аналоги и возможные замены

Тип

Аналог

Возможная замена

Примечания

Любой СВЧ смесительный или детекторный диод диапазона 2,8-3,4 см (10 ГГц)

КД208, КД221, КД243, КД247, КД257

В этой схеме можно применить любой выпрямительный или импульсный диод, имеющий максимальный прямой ток до 1 А и обратное напряжение большее 50 В

1N4007

КД208, КД221А, КД243А, КД247Е

1N5338А
КС407Г

1N5349А
КС212

PD638
ФДЗ
Любые фотодиоды, работающие в видимом диапазоне. Наилучшие результаты даст использование ФД24

Любой варикап для KB диапазона с максимальным напряжением меньшим 10 В

1N754
КС 162

1N757A
КС 182

MV2101
KB 102; KB 107А,В
Любой высокодобротный варикап для диапазона УКВ

1 N4742А
КС212

7N4745.А
КС515

1N4744
КС215Ж
КС508Б, КС509А, КС511А, КС515, КС528Г, КС535Б

1N4454
КД521А

HP5082-3168
КД409

НР3081
КД409

1N751A
КС 126Д1, КС 147Г, KC407F, КС451А

1N270
Д2,Д9

1N60
Д2,Д9

1N90
Д2,Д9

1N918
КД510А

HER602
КД213, КД206, КД271, КД2998

1N4732
КС133

1N4735
КС147

NTE5550
Т122-25-1
Тиристор на ток 25 А и напряжение большее 50 В

1N5231
КС126Д1 КС147Г КС407Г КС451А

2N3055
КТ8150

1N4732
КС147

BAS16
КД510А

1N4936
КД243

1N751
КС 156

1N34
Д2.Д9

1N914
КД510А

1N4001 — 1N4007
КД208, КД221, КД243, КД247, КД257
В этой схеме можно применить любой выпрямительный или импульсный диод, имеющий максимальный прямой ток до 1 А и обратное напряжение большее 50 В

1N5817- 1N5820
КД238, КД268, КД269, КД270, КД271, КД272, КД273
Это диоды Шоттки, размещенные в пластмассовых корпусах диаметром 3 и длиной 7 мм. Российские аналоги размещены в корпусах Т0-220

1N34A
Д310, Д311

1N4735
КС462, КС162

1N914
КД521А

PCBWay — всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН
Сборка печатных плат от $88 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет
Онлайн просмотрщик Gerber-файлов от PCBWay!

Sanken RK44 — это кремниевый барьерный диод Шоттки. Вот даташит по нему: rk44-diode-datasheet.zip Заменить можно на ему подобный — RK43, он самый близкий по параметрам. В некоторых случаях можно заменить на германиевые диоды что подходят по параметрам, но поскольку RK44 стоит в блоке питания то данное решение может и не подойти. Купить RK44 можно в интернете на зарубежных сайтах, поищите в Гугле по запросу: «Sanken RK44 купить».

Здравствуйте! А есть ли аналог у диода 82PF80 и 82PFR80? Не могу нигде найти.

Не могу найти диод в усилитель мистерии мк 2.МК, 40МК мне бы аналог. Усилитель мистери 2.8 диод 40 КД.

Подскажите аналог диодов 82PF80 и 82PFR80 Надо по 3шт

Подскажите аналог диодов 1147 TG

D655 на отечественный

Чем заменить диод SY 171/6 D R5

Подскажите для диода F1J аналог или каким можно заменить спасибо

CMUT5401 Datasheet (PDF)

1.1. cmut5401.pdf Size:342K _central

1.2. cmut5401e.pdf Size:349K _central

5.1. cmut5551.pdf Size:342K _central

5.2. cmut5087e.pdf Size:349K _central

5.3. cmut5179.pdf Size:342K _central

5.4. cmut5088e.pdf Size:349K _central

5.5. cmut5087e cmut5088e series.pdf Size:349K _central

5.6. cmut5551e.pdf Size:349K _central

1N5401, Диод выпрямительный 100В 3А, DO-201AD

от 4000	2.11 руб./шт
от 2800	2.18 руб./шт
от 1600	2.24 руб./шт
от 400	2.31 руб./шт

Цены указаны с учетом НДС

1 400 1600 2800 4000 * Указанная цена является ориентировочной, для уточнения условий поставки необходимо отправить запрос.

мин.заказ 1250 шт

Мин. количество для заказа: 1250 шт.

Информация для заказа

Номенклатурный номер 2011484947 Производитель: YJ Заводская упаковка: лента в коробке по 1250 шт.

Наименование	Цены, руб. с НДС	Цена для выбранного кол-ва	Наличие	Условиепоставки	Сумма,руб.	В корзину
1N5401, Diode Switching 100V 3A Automotive 2-Pin DO-201 Ammo

2014589452

от 10000 — 2.77от 7000 — 2.79от 4000 — 2.82

2.84 руб./шт
4192 шт. мин. заказ 3970 шт
1-3 недели
11274.80
1N5401, Axial

2011364075

от 2000 — 3.50от 1000 — 4.00от 500 — 4.67от 215 — 5.74от 1 — 6.93

6.93 руб./шт
240 шт. мин. заказ 184 шт
1 неделя
1275.12

1N5401, MOSFET транзистор

2006508073

от 2700 — 11.11от 2100 — 11.74от 1500 — 12.37от 900 — 13.00

13.00 руб./шт
2202 шт. мин. заказ 900 шт
5 раб. дней
11700.00

1N5401, Диод выпрямительный 3А 100В

2011906747

от 1000 — 26.16от 700 — 26.84от 400 — 27.52от 100 — 28.20от 1 — 31.00

31.00 руб./шт
5000 шт.
1-2 недели
31.00

Тип диода	—
Кол-во диодов	—
Схема коммутации	—
Максимальное постоянное обратное напряжение,В	—
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А	—
Максимальное время обратного восстановления,мкс	—
Максимальное импульсное обратное напряжение,В	—
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А	—
Максимальный обратный ток,мкА 25гр	—
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.	—
при Iпр.,А	—
Общая емкость Сд,пФ	—
Рабочая температура,С	—
Корпус	—
Способ монтажа	—
Производитель	YJ

Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации. Для получения актуализированной информации отправьте запрос на адрес techno@platan.ru

2N5401 Datasheet Download — ON Semiconductor

Номер произв

2N5401

Описание

Amplifier Transistor

Производители

ON Semiconductor

логотип

1Page

No Preview Available !

2N5401
Amplifier Transistors
PNP Silicon
Features

• These are Pb−Free Devices*

MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol Value
Unit

Collector − Emitter Voltage

Collector − Base Voltage

Emitter − Base Voltage

Collector Current − Continuous

Total Device Dissipation @ TA = 25°C

Derate above 25°C

VCEO

VCBO

VEBO

150 Vdc
160 Vdc
5.0 Vdc
600 mAdc
625 mW

5.0 mW/°C

Total Device Dissipation @ TC = 25°C PD 1.5 W

Derate above 25°C

12 mW/°C

Operating and Storage Junction
Temperature Range

TJ, Tstg −55 to +150 °C

THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient RqJA

200 °C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Case

RqJC

83.3 °C/W

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
http://onsemi.com
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER

TO−92

CASE 29
STYLE 1
123
STRAIGHT LEAD
BULK PACK

12 3

BENT LEAD
TAPE & REEL
AMMO PACK
MARKING DIAGRAM
2N
5401

AYWW G

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference
Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2012

August, 2012 − Rev. 4

1
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week

G = Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
Publication Order Number:
2N5401/D

No Preview Available !

2N5401

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic
OFF CHARACTERISTICS

Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 1)

(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)

Collector−Base Breakdown Voltage

(IC = 100 mAdc, IE = 0)

Emitter−Base Breakdown Voltage

(IE = 10 mAdc, IC = 0)

Collector Cutoff Current

(VCB = 120 Vdc, IE = 0)

(VCB = 120 Vdc, IE = 0, TA = 100°C)

Emitter Cutoff Current

(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)

ON CHARACTERISTICS (Note 1)

DC Current Gain

(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)

(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)

(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)

Collector−Emitter Saturation Voltage

(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)

(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)

Base−Emitter Saturation Voltage

(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)

(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)

SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS

Current−Gain — Bandwidth Product

(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)

Output Capacitance

(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)

Small−Signal Current Gain

(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)

Noise Figure

(IC = 250 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 kW, f = 1.0 kHz)

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.

Symbol
Min

V(BR)CEO

V(BR)CBO

V(BR)EBO

ICBO

IEBO

150
160
5.0
−
−
−

hFE

VCE(sat)

VBE(sat)

50
60
50
−
−
−
−

Cobo

hfe

NF
100
−
40
−
Max Unit
Vdc
−
Vdc
−
Vdc
−
50 nAdc

50 mAdc

nAdc
50
−
−
240
−
Vdc
0.2
0.5
Vdc
1.0
1.0
MHz
300
pF
6.0
−
200
dB
8.0
ORDERING INFORMATION
Device
Package

Shipping†

2N5401G

TO−92

(Pb−Free)

5000 Unit / Bulk
2N5401RLRAG

TO−92

(Pb−Free)

2000 / Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
2

No Preview Available !

200

150
100
70
50
30
20
0.1

TJ = 125°C

25°C

- 55°C

0.2 0.3
0.5
2N5401
1.0
2.0 3.0
5.0

IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 1. DC Current Gain
10

VCE = — 1.0 V

VCE = — 5.0 V

20 30
50
100
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6

0.5 IC = 1.0 mA

10 mA
30 mA
100 mA
0.4
0.3
0.2
0.1

0.005
0.01
0.02
0.05 0.1
0.2 0.5 1.0

IB, BASE CURRENT (mA)

2.0
5.0 10 20
Figure 2. Collector Saturation Region
50

103

102

VCE = 30 V

101

TJ = 125°C

75°C

10-1

REVERSE

10-2 25°C

IC = ICES

FORWARD

10-3

0.3
0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 3. Collector Cut−Off Region

0.6
0.7
1.0

0.9 TJ = 25°C

0.8
0.7

0.6 VBE(sat) @ IC/IB = 10

0.5
0.4
0.3
0.2
0.1

0.1

VCE(sat) @ IC/IB = 10

0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50

IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 4. “On” Voltages
100
http://onsemi.com
3

Всего страниц

5 Pages

Скачать PDF

CMBT5401 Datasheet (PDF)

1.1. cmbt5401.pdf Size:162K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package
CMBT5401
SILICON P–N–P HIGH–VOLTAGE TRANSISTOR
P–N–P transistor
Marking
CMBT5401 = 2L
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector–base voltage (open emitter) –VCBO max. 160 V
Collector–emitter volt

3.1. cmbt5400.pdf Size:162K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package
CMBT5400
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
P–N–P transistor
Marking
CMBT5400 = K2
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector–base voltage (open emitter) –VCBO max. 130 V
Collector–emitter voltage (open base) –V

5.1. cmbt5088 89.pdf Size:221K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package CMBT5088
CMBT5089
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
N–P–N transistors
PACKAGE OUTLINE DETAILS
Marking ALL DIMENSIONS IN mm
CMBT5088 = 1Q
CMBT5089 = 1R
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
5088 5089
Colle

5.2. cmbt5550.pdf Size:162K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package
CMBT5550
SILICON N–P–N HIGH–VOLTAGE TRANSISTOR
N–P–N transistor
Marking
CMBT5550 = 1F
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector–base voltage (open emitter) VCBO max. 160 V
Collector–emitter voltage

5.3. cmbt5551.pdf Size:324K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package
CMBT5551
SILICON N–P–N HIGH–VOLTAGE TRANSISTOR
N–P–N transistor
Marking
CMBT5551 = G1
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector–base voltage (open emitter) VCBO max. 180 V
Collector–emitter voltage

5.4. cmbt5087.pdf Size:145K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOT-23 Formed SMD Package CMBT5087
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
PNP transistor
Marking
CMBT5087= 2Q
Pin configuration
1 = BASE
2 = EMITTER
3 = COLLECTOR
3
1
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector-base voltage (open emitter) VCBO max. 50 V
Collector-emitter voltage (open base) VCEO ma

Распиновка

Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.

Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право: база, коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.

Скорость переключения диодов 1N4000 и 1N5400

Как упоминалось выше, скорость переключения всех этих диодов относительно медленная из-за внутренней емкости полупроводника (между 10пф и 15пф), поэтому они не подходят для работы с высокими частотами.

Лучшее их применение — использование в качестве сетевых выпрямителей ( 50Гц/60Гц ) или для работы с частотами не более 1000 Гц.

А в качестве супрессоров в индуктивных нагрузках лучше, чтобы диод был как можно быстрее, для подавления ЭДС самоиндукции, которая создает помехи и может повредить силовые транзисторы, которые управляют индуктивной нагрузкой. В этих случаях лучше использовать быстрые диоды типа Шоттки.

В любом случае, с небольшими моторами или реле, диоды, такие как 1N4006 или 1N4007, работают правильно и являются практичным и экономичным решением.

PZT5401 Datasheet (PDF)

1.1. pzt5401.pdf Size:98K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
PZT5401 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
* High Collector-Emitter Voltage: VCEO=-150V
* High current gain
APPLICATIONS
* Telephone Switching Circuit
* Amplifier
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen-Free 1 2 3
PZT5401L-x-AA3-R PZT5401G-x-AA

1.2. pzt5401.pdf Size:326K _wietron

PZT5401
PNP Epitaxial Planar Transistor
COLLECTOR
2, 4 SOT-223
P b Lead(Pb)-Free 4
1. BASE
BASE
2.COLLECTOR
1
1
3.EMITTER
2
4.COLLECTOR
3
3
EM ITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C)
Rating Symbol Value Unit
VCBO -160 V
Collector to Base Voltage
VCEO V
-150
Collector to Emitter Voltage
V
Collector to Base Voltage VEBO -5
IC(DC) -600 A
Collector Current
1.5
Total Dev

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.