Транзистор s8050 чем заменить

Содержание:

SS8050-C Datasheet (PDF)
SS8050-D Datasheet (PDF)
C8050D Datasheet (PDF)
Использование в двухтактной конфигурации
- 2D модель корпуса
Основные технические характеристики
- Аналоги и описание
- Применение
C8050C Datasheet (PDF)
8050SS Datasheet (PDF)
ST8050 Datasheet (PDF)
SS8050LT1 Datasheet (PDF)
Биполярный транзистор ST8050 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
ST8050 Datasheet (PDF)
Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог

SS8050-C Datasheet (PDF)

1.1. ss8050-c-d.pdf Size:179K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
SS8050-C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
SS8050-D
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
• Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
NPN Silicon
• Collector-current 1.5A
• Collector-base Voltage 40V
Transistors
• Operating and storag

3.1. mmss8050-h.pdf Size:174K _mcc

MCC
MMSS8050-L
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
MMSS8050-H
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
NPN Silicon
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
• Collector-current 1.5A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operat

3.2. mmss8050-l.pdf Size:174K _mcc

SS8050-D Datasheet (PDF)

Транзистор s9018

3.1. mmss8050-h.pdf Size:174K _mcc

3.2. ss8050-c-d.pdf Size:179K _mcc

3.3. mmss8050-l.pdf Size:174K _mcc

C8050D Datasheet (PDF)

Характеристики транзистора s8050

1.1. c8050b c8050c c8050d.pdf Size:120K _usha

Transistors
C8050
www.DataSheet4U.com
www.DataSheet4U.com

5.1. tpc8050-h.pdf Size:207K _toshiba

TPC8050-H
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅥ-H)
TPC8050-H
Switching Regulator Applications
Motor Drive Applications
Unit: mm
DC-DC Converter Applications
• Small footprint due to a small and thin package
• High-speed switching
• Small gate charge: QSW = 9.2 nC (typ.)
• Low drain-source ON-resistance:
RDS (ON) = 9.3 mΩ (typ.)
•

5.2. utc8050s.pdf Size:23K _utc

UTC 8050S NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT
SMALL SIGNAL NPN
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC8050S is a low voltage high current small signal
NPN transistor, designed for Class B push-pull audio
amplifier and general purpose applications.
FEATURES
*Collector current up to 800mA
*Collector-Emitter voltage up to 20 V
TO-92
*Complementary to UTC 8550S
1:EMITTER

5.3. ktc8050a.pdf Size:48K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8050A
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
·Complementary to KTC8550A.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25℃) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.0

5.4. ktc8050.pdf Size:38K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8050
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
Complementary to KTC8550.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.00 + 0.

5.5. ktc8050s.pdf Size:393K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8050S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
E
L B L
Complementary to KTC8550S.
DIM MILLIMETERS
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
C 1.30 MAX
2
3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
1
G 1.90
H 0.95
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
J 0.13+0.10/-0.05
K 0.00 ~ 0.10
VCBO
Collector-Base Voltag

5.6. stc8050n.pdf Size:242K _blue-rocket-elect

STC8050N
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• High current application
• Radio in class B push-pull operation
Feature
• Complementary pair with STA8550N
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STC8050N STC8050 TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20~4.40
2.25 Max.
0.52 Max.
0.90 Max.
1.27 Typ.
0.40 Max.
1 2 3
3.55

5.7. hc8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HC8050S
█ APPLICATIONS
Audio Frequency Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation……………………

5.8. hc8050.pdf Size:137K _shantou-huashan

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HC8050
█ NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2W OUTPUT AMPLIFIER PORTABLE RADIO IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation

5.9. ftc8050h.pdf Size:352K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTC8050H
TECHNICAL DATA
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
3
High current capacity in compact package.
I C
=1.5A.
1
Epitaxial planar type.
2
PNP complement: FTA8550H
Pb-Free Package is available.
SOT–23
COLLECTOR
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
3
Shipping
Device Marking
1
FTC8050H 1FC 3000/Tape&Reel
BASE
2
E

5.10. ftc8050.pdf Size:222K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTC8050
TECHNICAL DATA
TRANSISTOR (NPN)
FTC8050
B C
FEATURES
Complimentary to FTA8550
Collector current: IC=0.5A
DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
B 4.80 MAX
G
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
C 3.70 MAX
D
D 0.55 MAX
Symbol Parameter
Value Unit E 1.00
F 1.27
G 0.85
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
H 0.45
_
H
J 14.00 0.50
+
VCEO Col

5.11. dc8050.pdf Size:62K _dc_components

DC COMPONENTS CO., LTD.
DC8050
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in 2W output amplifier of portable
radios in class B push-pull operation.
TO-92
Pinning
.190(4.83)
1 = Emitter
.170(4.33)
2 = Base
2oTyp
3 = Collector
.190(4.83)
.170(4.33)
2oTyp
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.500
Characterist

Использование в двухтактной конфигурации

Даташит 2sc2625 pdf ( datasheet )

Как уже упоминалось в параметрах, S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, обычно известный как усилитель класса B, является типом многоступенчатого усилителя, обычно используемого для усиления звука динамика. Это очень просто построить и требует двух идентичных дополнительных транзисторов. Под дополнительным подразумевается, что нам нужен транзистор NPN и его эквивалентный PNP. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

2D модель корпуса

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, вам будет полезно изучить следующее изображение , чтобы узнать тип и размеры корпуса данного устройства.

Основные технические характеристики

Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:

Тип проводимости транзистора NPN;
Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft)100 МГц (MHz)
Максимально допустимое обратное напряжении на коллекторном переходе (Collector-Base Voltage) U КБ макс .(VCBО ) не более 40 В (V);
Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) от 85 до 300 hFE;
Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО(ICBO) у транзистора S8050 не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40 В (V) и отключенном эммитере (IЭ (IE)=0);
Максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 65 до +150 градусов (C).

Аналоги и описание

Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.

Полезная информация:

Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Применение

Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:

Реле;
Светодиоды;
Лампочками и т.д.

Где и как мы можем использовать ?
Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.

C8050C Datasheet (PDF)

1.1. c8050b c8050c c8050d.pdf Size:120K _usha

Transistors
C8050
www.DataSheet4U.com
www.DataSheet4U.com

5.1. tpc8050-h.pdf Size:207K _toshiba

5.2. utc8050s.pdf Size:23K _utc

5.3. ktc8050a.pdf Size:48K _kec

5.4. ktc8050.pdf Size:38K _kec

5.5. ktc8050s.pdf Size:393K _kec

5.6. stc8050n.pdf Size:242K _blue-rocket-elect

5.7. hc8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan

5.8. hc8050.pdf Size:137K _shantou-huashan

5.9. ftc8050h.pdf Size:352K _first_silicon

5.10. ftc8050.pdf Size:222K _first_silicon

5.11. dc8050.pdf Size:62K _dc_components

8050SS Datasheet (PDF)

1.1. 8050ss-d 8050ss-c.pdf Size:340K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
8050SS-C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
8050SS-D
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
• Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
NPN Silicon
• Collector-current 1.5A
• Collector-base Voltage 40V
Transistors
• Operating and storag

1.2. 8050sst.pdf Size:331K _secos

8050SST
1.5A , 40V
NPN Plastic Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURES
 General Purpose Switching and Amplification.
G H
Emitter
Collector
Base
J
CLASSIFICATION OF hFE (1)
A D
Millimeter
Product-Rank 8050SST-B 8050SST-C 8050SST-D
REF.
B Min. Max.
A 4.40

1.3. 8050ss.pdf Size:265K _jiangsu

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
TO – 92
8050SS TRANSISTOR (NPN)
1. EMITTER
2. COLLECTOR
FEATURES
General Purpose Switching and Amplification.
3. BASE
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-

ST8050 Datasheet (PDF)

1.1. st8050-2a.pdf Size:385K _semtech

ST 8050 (2A)
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
for switching and amplifier applications. Especially
suitable for AF-driver stages and low power output
stages.
The transistor is subdivided into two groups C and
D according to its DC current gain.
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92 Plastic Package
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Parameter Symbol Value Unit
C

1.2. st8050-1.5a.pdf Size:442K _semtech

ST 8050 (1.5A)
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
for switching and amplifier applications.
Especially suitable for AF-driver stages
and low power output stages.
On special request, these transistors can be
manufactured in different pin configurations.
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92 Plastic Package
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25℃)
Parameter Symbol Value Uni

1.3. kst8050d-50.pdf Size:1155K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST8050D-50
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
Features
● Collector Current Capability IC=1.2A
● Collector Emitter Voltage VCEO=50V
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 50 V
Collec

1.4. kst8050x.pdf Size:594K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
KST8050X
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
■ Features
● Collector Power Dissipation: PC=0.3W
● Collector Current: IC=1.5A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-Emitte

1.5. kst8050.pdf Size:1008K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST8050
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
0.4+0.1
-0.1
3
Features
Collector Current: IC=1.5A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V
Emitter-Base Voltage VEBO 5 V

1.6. kst8050s.pdf Size:970K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST8050S
SOT-23
Unit: mm
2.9+0.1
-0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Collector Current: IC=0.5A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V
Emitter-Base Voltage VEBO 5

1.7. kst8050m.pdf Size:810K _kexin

SMD Type
SMD Type Transistors
NPN Transistors
KST8050M
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
■ Features
● Collector Current: IC=0.8A
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V
Emitter-Bas

SS8050LT1 Datasheet (PDF)

1.1. ss8050lt1.pdf Size:165K _wietron

SS8050LT1
NPN General Purpose Transistors
3
P b Lead(Pb)-Free
1
2
SOT-23
Value
V
CEO 25
40
5.0
1500
300
2.4
417
0.1
25
40
100
5.0
100
u
0.15
35
0.15 u
4.0
WEITRON
27-Jul-2012
1/2
http://www.weitron.com.tw
SS8050LT1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued)
Characteristics
Symbol Max Unit
Min
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gai

1.2. ss8050lt1.pdf Size:961K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SS8050LT1 TRANSISTOR (NPN)
SOT-23
1. BASE
2. EMITTER
FEATURES
3. COLLECTOR
Power dissipation
2. 4
PCM: 0.3 W ( Tamb=25℃)
1. 3
Collector current
ICM: 1.5 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: 25 V
Operating and storage junction temperature range
Unit: mm
TJ, Tst

1.3. gstss8050lt1.pdf Size:187K _globaltech_semi

GSTSS8050LT1
NPN General Purpose Transistor
Product Description Features
This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 25V
amplifier and switch. Collector-Base Voltage : 40V
Collector Current : 1500mA
Lead(Pb)-Free
Packages & Pin Assignments
SOT-23
Pin Description
1 Base
2 Emitter
3 Collector
Marking Information
P/N Package Part Markin

Биполярный транзистор ST8050 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ST8050

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора: TO92

ST8050
Datasheet (PDF)