Транзистор кт815б
Содержание:
- Указания по применению и эксплуатации транзисторов
- Кт815 характеристики и аналоги
- Проверка КТ815
- Зарубежные прототипы
- Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком
- Цоколёвка и маркировка КТ815
- Режимы работы в схеме с ОЭ
- Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ361, КТ361-1, КТ361-2 и КТ361-3
- Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315
- Цветомузыкальная приставка на П213.
- Характеристики КТ815
- Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1
- Меры безопасности
- Цветомузыкальная приставка на П213.
- Маркировка транзисторов
- KT815A Datasheet (PDF)
Указания по применению и эксплуатации транзисторов
Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.
Кт815 характеристики и аналоги
СПРАВОЧНИК ПО ОТЕЧЕСТВЕННЫМ ТРАНЗИСТОРАМ СЕРИИ 8хх
13- 50/1 20-100/1 15- 35/2 10- 70/5 20-150/ 20-150/ 20-150/ 15- 35/2 15- 35/2 15- 35/2 15- 35/2 15- 35/2 10-100/10 10-100/10 10-100/10 10-100/10 10-100/10 15- 45/0.5 30-100/0.5 15- 45/0.5 30-100/0.5 10- 50/6 20-125/6 20-125/6 20-125/6 20-125/6 15-100/2 15- /5 5- /8 5- /8 5- /8 10- 60/20 10- 60/20 10- 60/20 40- /0.15 40- /0.15 40- /0.15 30- /0.15 40- /0.15 40- /0.15 40- /0.15 30- /0.15 20- /2 20- /2 20- /2 15- /2 20- /1 20- /1 20- /1 10- /1 15- /5 20- /5 15- /5 12- /5 15- /5 20- /5 15- /5 12- /5 15- /5 20- /5 15- /5 12- /5 15- /5 20- /5 15- /5 12- /5 40- /0.15 40- /0.15 30- /0.15 40- /0.15 40- /0.15 30- /0.15 25- /1 25- /1 25- /1 25- /1 25- /1 25- /1 5- /8 5- /8 5- /8 5- /8 430-60000/10 430-60000/10 430-60000/10 750- /5 750- /5 750- /5 500-18000/10 750-18000/10 750-18000/10 10-200/0.1 10-120/0.1 10-120/0.1 750-18000/10 750-18000/10 750-18000/10 2.25- /4.5 2.25- /4.5 750- /3 750- /3 750- /3 750- /3 25- /1 25- /1 25- /1 20- /1
Проверка КТ815
Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.
Во-первых
, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.
Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.
Затем нужно проверить обратное падение напряжение
. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.
Зарубежные прототипы
- КТ815Б — BD135
- КТ815В — BD137
- КТ815Г — BD139
14 thoughts on “ КТ815 параметры ”
Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше
Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая
Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.
Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.
Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».
На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм
Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.
Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…
Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.
Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).
По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.
Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком
| Тип транзистора | Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса | Маркировочная метка на торце корпуса |
| KT315A1 | Треугольник зеленого цвета | Точка красного цвета |
| KT315Б1 | Треугольник зеленого цвета | Точка желтого цвета |
| KT315В1 | Треугольник зеленого цвета | Точка зеленого цвета |
| KT315Г1 | Треугольник зеленого цвета | Точка голубого цвета |
| KT315Д1 | Треугольник зеленого цвета | Точка синего цвета |
| KT315Е1 | Треугольник зеленого цвета | Точка белого цвета |
| KT315Ж1 | Треугольник зеленого цвета | Две точки красного цвета |
| KT315И1 | Треугольник зеленого цвета | Две точка желтого цвета |
| KT315Н1 | Треугольник зеленого цвета | Две точки зеленого цвета |
| KT315Р1 | Треугольник зеленого цвета | Две точки голубого цвета |
Цоколёвка и маркировка КТ815
Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.
Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.
На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.
Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.
Режимы работы в схеме с ОЭ
Работу полупроводниковых устройств интересно анализировать с помощью входных/выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ). На них видно изменение значений параметров, от которых зависит его состояние: в каких случаях он открывается, когда происходит усиление сигнала и др. На рисунке представлены графики ВАХ для схемы включения КТ315Г с общим эмиттером (ОЭ), на её выход подано постоянное питание Uп. Разберемся как она работает в таком режиме.
Если транзистор используется в качестве электронного ключа, то в закрытом состоянии (режим отсечки) базовое напряжение на входе (UБЭ) не должно превышать 0.5 В. Токи базы IБ и коллектора IК незначительные, т.е. практически отсутствуют.
Для открытия транзистора (режим насыщения) необходимо поднять входное напряжение UБЭ с 0.6 до 0.8В. Этим нужно добиться увеличения базового тока IБ максимум до 2 мА, путем снижения сопротивления переменного ограничительного резистора RБ. При этом IК может расти до 100 мА, а UКЭ на p-n-переходе должно находится на уровне до 0.4 В.
В промежутке между открытым и закрытым состоянием транзистор используется как усилитель слабых сигналов – активный режим. Используя эту информацию можно создавать интересные схемы с этим устройством. Например такие, как в представленном видеоролике.
Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ361, КТ361-1, КТ361-2 и КТ361-3
| Тип | Структура | PК max, PК* т. max, мВт |
fгр, МГц |
UКБО max, UКЭR*max, В |
UЭБО max, В |
IК max, мА |
IКБО, мкА |
h21э, h21Э* |
CК, пФ |
rКЭ нас, Ом |
rб, Ом |
τк, пс |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Примечание:
1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В;
2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора;
3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера;
4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора;
5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер;
6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;
7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
8. rб – сопротивление базы;
9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером;
10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В;
11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером;
12. h2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно;
13. h2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала;
14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315
| Отечественный транзистор | Зарубежный аналог | Возможность купить | Предприятие производитель | Страна производитель |
| КТ315А | BFP719 | нет | Unitra CEMI | Польша |
| КТ315Б | BFP720 | нет | Unitra CEMI | Польша |
| КТ315В | BFP721 | нет | Unitra CEMI | Польша |
| КТ315Г | BFP722 | нет | Unitra CEMI | Польша |
| КТ315Д | 2SC641 | есть | Hitachi | Япония |
| КТ315Е | 2N3397 | есть ~ 4$ | Central Semiconductor | США |
| КТ315Ж | 2N2711 | есть ~ 9$ | Sprague electric corp. | США |
| BFY37, BFY37i | есть | ITT Intermetall GmbH | Германия | |
| КТ315И | 2SC634 | есть ~ 16$ | New Jersey Semiconductor | США |
| есть | Sony | Япония | ||
| КТ315Н | 2SC633 | есть ~ 1$ | Sony | Япония |
| КТ315Р | BFP722 | нет | Unitra CEMI | Польша |
Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.
Цветомузыкальная приставка на П213.
Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.
Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.
Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.
Характеристики КТ815
Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815
| Наименование | U КБ , В | U КЭ , В | I K , мА | Р К , Вт | h21 э | I КБ , мА | f, МГц | U КЭ , В. |
| КТ815А | 40 | 30 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815Б | 50 | 45 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815В | 70 | 65 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815Г | 100 | 85 | 1500(3000) | 1(10) | 30-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
Обозначения из таблицы читаются следующим образом:
- U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
- U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
- I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
- Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
- h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
- I КБ — обратный ток вывода коллектора.
- f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
- U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.
Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:
- Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
- Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.
Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.
Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.
Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1
| Тип | Структура | PК max, PК* т. max, мВт | fгр, МГц | UКБО max, UКЭR*max, В | UЭБО max, В | IК max, мА | IКБО, мкА | h21э, h21Э* | CК, пФ | rКЭ нас, Ом | rб, Ом | τк, пс |
| KT315A1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 25 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20…90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
| KT315Б1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50…350 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
| KT315В1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20…90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
| KT315Г1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50…350 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
| KT315Д1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20…90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
| KT315Е1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20…90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
| KT315Ж1 | n-p-n | 100 | ≥250 | 15 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30…250 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
| KT315И1 | n-p-n | 100 | ≥250 | 60 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
| KT315Н1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50…350 (10 В; 1 мА) | ≤7 | – | – | – |
| KT315Р1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 150…350 (10 В; 1 мА) | ≤7 | – | – | – |
| КТ315А | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 25 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30…120* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
| КТ315Б | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50…350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
| КТ315В | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30…120* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
| КТ315Г | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50…350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
| КТ315Д | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 40* (10к) | 6 | 100 | ≤0,6 | 20…90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤30 | ≤40 | ≤1000 |
| КТ315Е | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 35* (10к) | 6 | 100 | ≤0,6 | 50…350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤30 | ≤40 | ≤1000 |
| КТ315Ж | n-p-n | 100 | ≥250 | 20* (10к) | 6 | 50 | ≤0,6 | 30…250* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤25 | – | ≤800 |
| КТ315И | n-p-n | 100 | ≥250 | 60* (10к) | 6 | 50 | ≤0,6 | ≥30* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤45 | – | ≤950 |
| КТ315Н | n-p-n | 150 | ≥250 | 35* (10к) | 6 | 100 | ≤0,6 | 50…350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤5,5 | – | ≤1000 |
| КТ315Р | n-p-n | 150 | ≥250 | 35* (10к) | 6 | 100 | ≤0,5 | 150…350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | – | ≤500 |
Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
Меры безопасности
Меры предосторожности при монтаже подобных устройств стандартные и обычно не вызывают вопросов у начинающих радиолюбителей. В техописании указывается на недопустимость давления на корпус при осуществлении изгибов металлических выводов
Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки. Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд.
Не стоит превышать предельно допустимые эксплуатационные параметры, указанные в техописании, при работе устройства. При длительной эксплуатации на максимальных значениях оно может выйти из строя.
Цветомузыкальная приставка на П213.
Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.
Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.
Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815
. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: NEC Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 13955 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Маркировка транзисторов
Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.
Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.
KT815A Datasheet (PDF)
1.1. kt815a-b-v-g.pdf Size:696K _russia
5.1. kt8159.pdf Size:245K _integral
КТ8159
p-n-p кремниевый
эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для применения в вых
5.2. kt815.pdf Size:225K _integral
КТ815
n-p-n кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной а
5.3. kt8156.pdf Size:209K _integral
КТ8156
n-p-n составной
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона)
с интегральными демпфирующим и базо-эмиттерным ускоряющими д
5.4. kt8158.pdf Size:245K _integral
КТ8158
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для применения в вых
